参数	值
产品	未分类
型号编码	STFI34N65M5n: 0
说明	未分类   I2PAKFP-3 I2PAKFP(TO-281)
起订量	1
最小包	1
现货	397 [库存更新时间：2024-05-19]
最高工作温度	+ 150 C
34.7 W	Pd - 功率消耗
封装/外壳	I2PAKFP-3
系列	STFI34N65M5
FET类型	Enhancement
下降时间	7.5 ns
最低工作温度	- 55 C
FET类型	N-Channel
上升时间	8.7 ns
标准包装数量	50
公司名称	MDmesh
漏源极电压Vds	650 V
栅极电压Vgs	25 V
连续漏极电流Id	28 A
Rds On(Max)@Id,Vgs	90 m0hms
配置	Single
栅极电压Vgs	4 V
62.5 nC	Qg - 闸极充电
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	28A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	62.5nC @ 10V
栅极电压Vgs	±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2700pF @ 100V
功率	35W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	110 毫欧 @ 14A,10V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	I2PAKFP(TO-281)